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画像はあくまで参考です。
FDP053N08B-F102
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 80V 75A TO-220
Date Sheet
在庫數 30000
- 1+： $5.40197
- 10+： $5.09620
- 100+： $4.80773
- 500+： $4.53560
- 1000+： $4.27886
小計金額 $5.40197
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：9 Weeks
- Package / Case：TO-220-3
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：75A Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.5V @ 250μA
- Power Dissipation (Max)：146W Tc
- Number of Elements：1
- Series：PowerTrench®
- Packaging：Tube
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：146W
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：5.3m Ω @ 75A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：5960pF @ 40V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：85nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：80V
- Vgs (Max)：±20V
- Continuous Drain Current (ID)：75A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain-source On Resistance-Max：0.0053Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：480A
- DS Breakdown Voltage-Min：80V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：365 mJ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 30000
- 1+： $5.40197
- 10+： $5.09620
- 100+： $4.80773
- 500+： $4.53560
- 1000+： $4.27886
小計金額 $5.40197
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