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HUF75637P3
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ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 100V 44A TO-220AB
Date Sheet
在庫數 5611
- 1+： $0.76161
- 10+： $0.71850
- 100+： $0.67783
- 500+： $0.63946
- 1000+： $0.60326
小計金額 $0.76161
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Supplier Device Package：TO-220-3
- Turn Off Delay Time：37 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：155W Tc
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：44A Tc
- Published：2002
- Series：UltraFET™
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Max Operating Temperature：175°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Voltage - Rated DC：100V
- Current Rating：44A
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：155W
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：30mOhm @ 44A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1700pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：108nC @ 20V
- Rise Time：75ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：100V
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：61 ns
- Continuous Drain Current (ID)：44A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：100V
- Input Capacitance：1.7nF
- Drain to Source Resistance：30mOhm
- Rds On Max：30 mΩ
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 5611
- 1+： $0.76161
- 10+： $0.71850
- 100+： $0.67783
- 500+： $0.63946
- 1000+： $0.60326
小計金額 $0.76161
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