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NTD40N03RT4
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK
Date Sheet
在庫數 1230
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Mounting Type：Surface Mount
- Mount：Surface Mount
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7.8A Ta 32A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Turn Off Delay Time：16.7 ns
- Power Dissipation (Max)：1.5W Ta 50W Tc
- Number of Elements：1
- Published：2005
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- JESD-609 Code：e0
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- Terminal Finish：Tin/Lead (Sn/Pb)
- HTS Code：8541.29.00.95
- Voltage - Rated DC：25V
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：240
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Current Rating：23A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.1W
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：16.5m Ω @ 10A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：584pF @ 20V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：5.78nC @ 4.5V
- Rise Time：19.5ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：3.5 ns
- Continuous Drain Current (ID)：32A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain-source On Resistance-Max：0.023Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：25V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：100A
- RoHS Status：Non-RoHS Compliant
- Lead Free：Contains Lead
在庫數 1230
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