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画像はあくまで参考です。
3LP01C-TB-E
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- MOSFET P-CH 30V 100MA CP
Date Sheet
在庫數 14568
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Surface Mount：YES
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.5V 4V
- Number of Elements：1
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：100mA Ta
- Power Dissipation (Max)：250mW Ta
- Turn Off Delay Time：120 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2009
- JESD-609 Code：e6
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：250mW
- Turn On Delay Time：24 ns
- FET Type：P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：10.4 Ω @ 50mA, 4V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：7.5pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：1.43nC @ 10V
- Rise Time：55ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：30V
- Vgs (Max)：±10V
- Fall Time (Typ)：130 ns
- Continuous Drain Current (ID)：100mA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：10V
- Drain to Source Breakdown Voltage：-30V
- Height：1.1mm
- Length：2.9mm
- Width：1.5mm
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 14568
小計金額 $0.00000
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