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画像はあくまで参考です。
FDB42AN15A0-F085
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB
Date Sheet
在庫數 559
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Number of Pins：3
- Weight：1.31247g
- Transistor Element Material：SILICON
- Power Dissipation (Max)：150W Tc
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：35A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Turn Off Delay Time：22 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：150W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：15 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：42m Ω @ 12A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2040pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：36nC @ 10V
- Rise Time：11ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：3 ns
- Continuous Drain Current (ID)：35A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain-source On Resistance-Max：0.042Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：150V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：78 mJ
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 559
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