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画像はあくまで参考です。
FQA6N90C-F109
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-3P-3, SC-65-3
- MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
Date Sheet
在庫數 5600
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Package / Case：TO-3P-3, SC-65-3
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Number of Pins：3
- Weight：6.401g
- Transistor Element Material：SILICON
- Power Dissipation (Max)：198W Tc
- Turn Off Delay Time：55 ns
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6A Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- Published：2007
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：198W
- Turn On Delay Time：35 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：2.3 Ω @ 3A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1770pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：40nC @ 10V
- Rise Time：90ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：60 ns
- Continuous Drain Current (ID)：6A
- Threshold Voltage：5V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：6A
- Drain to Source Breakdown Voltage：900V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：24A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：650 mJ
- Length：15.8mm
- Height：18.9mm
- Width：5mm
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 5600
小計金額 $0.00000
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