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STB28N60DM2
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- STMICROELECTRONICS STB28N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V
Date Sheet
在庫數 6000
- 1+： $8.60462
- 10+： $8.11757
- 100+： $7.65808
- 500+： $7.22460
- 1000+： $6.81566
小計金額 $8.60462
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：17 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Number of Pins：3
- Power Dissipation (Max)：170W Tc
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：21A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：MDmesh™ DM2
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN Code：EAR99
- Base Part Number：STB28N
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：160m Ω @ 10.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1500pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：34nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：600V
- Vgs (Max)：±25V
- Continuous Drain Current (ID)：21A
- Threshold Voltage：4V
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 6000
- 1+： $8.60462
- 10+： $8.11757
- 100+： $7.65808
- 500+： $7.22460
- 1000+： $6.81566
小計金額 $8.60462
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