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FDB110N15A
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- N CH MOSFET, POWERTRENCH, 150V, 92A, D2PAK - More Details
Date Sheet
在庫數 88690
- 1+： $5.48697
- 10+： $5.17639
- 100+： $4.88338
- 500+： $4.60697
- 1000+： $4.34619
小計金額 $5.48697
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Number of Pins：3
- Weight：1.31247g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：92A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：234W Tc
- Turn Off Delay Time：46 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Published：2011
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Terminal Form：GULL WING
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：234W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：25 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：11m Ω @ 92A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：4510pF @ 75V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：61nC @ 10V
- Rise Time：26ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：14 ns
- Continuous Drain Current (ID)：92A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：150V
- Height：4.83mm
- Length：10.67mm
- Width：9.65mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 88690
- 1+： $5.48697
- 10+： $5.17639
- 100+： $4.88338
- 500+： $4.60697
- 1000+： $4.34619
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