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STB37N60DM2AG
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STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 600V 28A
Date Sheet
在庫數 1707
- 1+： $5.85754
- 10+： $5.52598
- 100+： $5.21319
- 500+： $4.91810
- 1000+： $4.63972
小計金額 $5.85754
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：17 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：28A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：210W Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STB37N
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：110m Ω @ 14A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2400pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：54nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：600V
- Vgs (Max)：±25V
- Continuous Drain Current (ID)：28A
- Drain-source On Resistance-Max：0.11Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：112A
- DS Breakdown Voltage-Min：600V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：650 mJ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 1707
- 1+： $5.85754
- 10+： $5.52598
- 100+： $5.21319
- 500+： $4.91810
- 1000+： $4.63972
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