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STD25NF20
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Automotive-grade N-channel 200 V, 0.10 Ohm typ., 18 A StripFET Power MOSFET in DPAK package
Date Sheet
在庫數 5000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：18A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：110W Tc
- Turn Off Delay Time：40 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Series：Automotive, AEC-Q101, STripFET™
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：STD25N
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：110W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：15 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：125m Ω @ 10A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：940pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：39nC @ 10V
- Rise Time：30ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：10 ns
- Continuous Drain Current (ID)：18A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：200V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：72A
- Max Junction Temperature (Tj)：175°C
- Height：2.63mm
- Length：6.6mm
- Width：6.2mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 5000
小計金額 $0.00000
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