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STD18NF03L
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
Date Sheet
在庫數 2300
- 1+： $0.94328
- 10+： $0.88989
- 100+： $0.83952
- 500+： $0.79200
- 1000+： $0.74717
小計金額 $0.94328
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：17A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：30W Tc
- Turn Off Delay Time：25 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：STripFET™ II
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：STD18
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：30W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：11 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：50m Ω @ 8.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.2V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：320pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：6.5nC @ 5V
- Rise Time：100ns
- Vgs (Max)：±16V
- Fall Time (Typ)：22 ns
- Continuous Drain Current (ID)：17A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：16V
- Drain-source On Resistance-Max：0.06Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：68A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：200 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 2300
- 1+： $0.94328
- 10+： $0.88989
- 100+： $0.83952
- 500+： $0.79200
- 1000+： $0.74717
小計金額 $0.94328
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