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FDD6796A
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET NCH 25V 20A DPAK
Date Sheet
在庫數 785
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：20A Ta 40A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.7W Ta 42W Tc
- Turn Off Delay Time：19 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Terminal Form：GULL WING
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：3.7W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：8 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：5.7m Ω @ 20A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1780pF @ 13V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：34nC @ 10V
- Rise Time：7ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：4 ns
- Continuous Drain Current (ID)：20A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：67A
- Drain-source On Resistance-Max：0.0057Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：25V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：40 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
在庫數 785
小計金額 $0.00000
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