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画像はあくまで参考です。
IRFM120ATF
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-261-4, TO-261AA
- Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
Date Sheet
在庫數 3000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：10 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-261-4, TO-261AA
- Number of Pins：3
- Weight：188mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.3A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.4W Ta
- Turn Off Delay Time：36 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2002
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：200MOhm
- Voltage - Rated DC：100V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：2.3A
- JESD-30 Code：R-PDSO-G4
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.4W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：14 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：200m Ω @ 1.15A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：480pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：22nC @ 10V
- Rise Time：14ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：28 ns
- Continuous Drain Current (ID)：2.3A
- Threshold Voltage：4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：100V
- Height：1.7mm
- Length：6.7mm
- Width：3.7mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 3000
小計金額 $0.00000
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