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画像はあくまで参考です。
FQPF630
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 200V 6.3A TO-220F
Date Sheet
在庫數 843
- 1+： $1.64785
- 10+： $1.55457
- 100+： $1.46658
- 500+： $1.38356
- 1000+： $1.30525
小計金額 $1.64785
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Number of Pins：3
- Weight：2.27g
- Transistor Element Material：SILICON
- Power Dissipation (Max)：38W Tc
- Turn Off Delay Time：47 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.3A Tc
- Series：QFET®
- Published：2000
- Packaging：Tube
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：200V
- Current Rating：6.3A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：38W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：8 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：400m Ω @ 3.15A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：550pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：25nC @ 10V
- Rise Time：75ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：64 ns
- Continuous Drain Current (ID)：6.3A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain-source On Resistance-Max：0.4Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：200V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：25.2A
- Width：4.7mm
- Length：10.16mm
- Height：9.19mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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