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画像はあくまで参考です。
FCPF13N60NT
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 600V 13A TO220F
Date Sheet
在庫數 1160
- 1+： $4.41636
- 10+： $4.16638
- 100+： $3.93054
- 500+： $3.70806
- 1000+： $3.49817
小計金額 $4.41636
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Weight：2.27g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：13A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Turn Off Delay Time：45 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Power Dissipation (Max)：33.8W Tc
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2004
- Series：SuperMOS™
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：33.8W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：14.5 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：258m Ω @ 6.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1765pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：39.5nC @ 10V
- Rise Time：10.6ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：9.8 ns
- Continuous Drain Current (ID)：13A
- Threshold Voltage：2V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain-source On Resistance-Max：0.258Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Height：15.9mm
- Length：10.16mm
- Width：4.7mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 1160
- 1+： $4.41636
- 10+： $4.16638
- 100+： $3.93054
- 500+： $3.70806
- 1000+： $3.49817
小計金額 $4.41636
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