日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
FCPF11N60NT
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
Date Sheet
在庫數 21000
- 1+： $4.07919
- 10+： $3.84830
- 100+： $3.63047
- 500+： $3.42497
- 1000+： $3.23110
小計金額 $4.07919
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：15 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Weight：2.27g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10.8A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：32.1W Tc
- Turn Off Delay Time：42 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMOS™
- Published：2004
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：32.1W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：13.6 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：299m Ω @ 5.4A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1505pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：35.6nC @ 10V
- Rise Time：9.1ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：10 ns
- Continuous Drain Current (ID)：10.8A
- Threshold Voltage：2V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain-source On Resistance-Max：0.299Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Height：15.9mm
- Length：10.16mm
- Width：4.7mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 21000
- 1+： $4.07919
- 10+： $3.84830
- 100+： $3.63047
- 500+： $3.42497
- 1000+： $3.23110
小計金額 $4.07919
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
