STP14NK50Z

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3
MOSFET N-CH 500V 14A TO-220
Date Sheet

在庫數 5000

1+： $4.63613
10+： $4.37371
100+： $4.12614
500+： $3.89258
1000+： $3.67225

小計金額 $4.63613

仕様よくある質問

Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Factory Lead Time：12 Weeks
Mount：Through Hole
Mounting Type：Through Hole
Package / Case：TO-220-3
Number of Pins：3
Transistor Element Material：SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：14A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
Number of Elements：1
Power Dissipation (Max)：150W Tc
Turn Off Delay Time：54 ns
Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
Packaging：Tube
Series：SuperMESH™
JESD-609 Code：e3
Part Status：Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：3
ECCN Code：EAR99
Resistance：340mOhm
Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
Additional Feature：AVALANCHE RATED
Voltage - Rated DC：500V
Current Rating：14A
Base Part Number：STP14N
Pin Count：3
Element Configuration：Single
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：150W
Turn On Delay Time：24 ns
FET Type：N-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：380m Ω @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：4.5V @ 100μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：92nC @ 10V
Rise Time：16ns
Vgs (Max)：±30V
Fall Time (Typ)：12 ns
Continuous Drain Current (ID)：6A
JEDEC-95 Code：TO-220AB
Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
Drain to Source Breakdown Voltage：500V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)：48A
Avalanche Energy Rating (Eas)：400 mJ
Nominal Vgs：3.75 V
Height：15.75mm
Length：10.4mm
Width：4.6mm
REACH SVHC：No SVHC
Radiation Hardening：No
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

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1000+： $3.67225

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