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画像はあくまで参考です。
FQA13N80-F109
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-3P-3, SC-65-3
- MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
Date Sheet
在庫數 1170
- 1+： $5.77492
- 10+： $5.44804
- 100+： $5.13966
- 500+： $4.84874
- 1000+： $4.57428
小計金額 $5.77492
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-3P-3, SC-65-3
- Number of Pins：3
- Weight：6.401g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：12.6A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：300W Tc
- Turn Off Delay Time：155 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Number of Elements：1
- Series：QFET®
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2007
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 18 hours ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：300W
- Turn On Delay Time：60 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：750m Ω @ 6.3A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3500pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：88nC @ 10V
- Rise Time：150ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：110 ns
- Continuous Drain Current (ID)：12.6A
- Threshold Voltage：5V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain-source On Resistance-Max：0.75Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：800V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：50.4A
- Height：18.9mm
- Length：15.8mm
- Width：5mm
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 1170
- 1+： $5.77492
- 10+： $5.44804
- 100+： $5.13966
- 500+： $4.84874
- 1000+： $4.57428
小計金額 $5.77492
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