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STP11NM60FDFP
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP
Date Sheet
在庫數 25000
- 1+： $4.14276
- 10+： $3.90827
- 100+： $3.68704
- 500+： $3.47834
- 1000+： $3.28145
小計金額 $4.14276
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：35W Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Packaging：Tube
- Series：FDmesh™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：450mOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-65°C
- Additional Feature：AVALANCHE RATED
- Voltage - Rated DC：600V
- Current Rating：11A
- Base Part Number：STP11N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：35W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：20 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：450m Ω @ 5.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：900pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：40nC @ 10V
- Rise Time：16ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：15 ns
- Continuous Drain Current (ID)：11A
- Threshold Voltage：4V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：44A
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 25000
- 1+： $4.14276
- 10+： $3.90827
- 100+： $3.68704
- 500+： $3.47834
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小計金額 $4.14276
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