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STI32N65M5
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- MOSFET Nchannel 650 V 0.095 Ohm, 24 A, MDmesh
Date Sheet
在庫數 100
- 1+： $6.44594
- 10+： $6.08107
- 100+： $5.73686
- 500+： $5.41213
- 1000+： $5.10578
小計金額 $6.44594
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：24A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：150W Tc
- Turn Off Delay Time：53 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ V
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Additional Feature：AVALANCHE ENERGY RATED
- Base Part Number：STI32N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：150W
- Turn On Delay Time：53 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：119m Ω @ 12A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3320pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：72nC @ 10V
- Rise Time：12ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：16 ns
- Continuous Drain Current (ID)：24A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain-source On Resistance-Max：0.119Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：96A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：650 mJ
- Height：10.75mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 100
- 1+： $6.44594
- 10+： $6.08107
- 100+： $5.73686
- 500+： $5.41213
- 1000+： $5.10578
小計金額 $6.44594
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