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画像はあくまで参考です。
STI30N65M5
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- STMICROELECTRONICS STI30N65M5 Power MOSFET, N Channel, 22 A, 650 V, 0.125 ohm, 10 V, 4 V
Date Sheet
在庫數 1035
- 1+： $5.26217
- 10+： $4.96431
- 100+： $4.68331
- 500+： $4.41822
- 1000+： $4.16813
小計金額 $5.26217
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：22A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：140W Tc
- Turn Off Delay Time：50 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ V
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Additional Feature：AVALANCHE ENERGY RATED
- Terminal Position：SINGLE
- Base Part Number：STI30N
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：140W
- Turn On Delay Time：50 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：139m Ω @ 11A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2880pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：64nC @ 10V
- Rise Time：8ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：10 ns
- Continuous Drain Current (ID)：22A
- Threshold Voltage：4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：88A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：500 mJ
- Height：10.75mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 1035
- 1+： $5.26217
- 10+： $4.96431
- 100+： $4.68331
- 500+： $4.41822
- 1000+： $4.16813
小計金額 $5.26217
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