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画像はあくまで参考です。
STB24NM60N
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
Date Sheet
在庫數 63259
- 1+： $5.73374
- 10+： $5.40918
- 100+： $5.10300
- 500+： $4.81415
- 1000+： $4.54166
小計金額 $5.73374
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：26 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：17A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：125W Tc
- Turn Off Delay Time：73 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：MDmesh™ II
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：190MOhm
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：STB24N
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：125W
- Turn On Delay Time：11.5 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：190m Ω @ 8A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1400pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：46nC @ 10V
- Rise Time：16.5ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：37 ns
- Continuous Drain Current (ID)：17A
- Threshold Voltage：3V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：68A
- Height：4.6mm
- Length：10.75mm
- Width：10.4mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 63259
- 1+： $5.73374
- 10+： $5.40918
- 100+： $5.10300
- 500+： $4.81415
- 1000+： $4.54166
小計金額 $5.73374
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