日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
FDS3590
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
Date Sheet
在庫數 2500
- 1+： $1.41307
- 10+： $1.33309
- 100+： $1.25763
- 500+： $1.18644
- 1000+： $1.11929
小計金額 $1.41307
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：9 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Weight：130mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.5A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta
- Turn Off Delay Time：26 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：39MOhm
- Voltage - Rated DC：80V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：6.5A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.5W
- Turn On Delay Time：11 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：39m Ω @ 6.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1180pF @ 40V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：35nC @ 10V
- Rise Time：8ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：12 ns
- Continuous Drain Current (ID)：6.5A
- Threshold Voltage：4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：6.4A
- Drain to Source Breakdown Voltage：80V
- Height：1.5mm
- Length：5mm
- Width：4mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 2500
- 1+： $1.41307
- 10+： $1.33309
- 100+： $1.25763
- 500+： $1.18644
- 1000+： $1.11929
小計金額 $1.41307
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
