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画像はあくまで参考です。
FDPF12N50T
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F
Date Sheet
在庫數 150
- 1+： $2.58870
- 10+： $2.44217
- 100+： $2.30393
- 500+： $2.17352
- 1000+： $2.05049
小計金額 $2.58870
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：9 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Weight：2.27g
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11.5A Tc
- Power Dissipation (Max)：42W Tc
- Turn Off Delay Time：45 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：UniFET™
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：165W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：24 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：650m Ω @ 6A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1315pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：30nC @ 10V
- Rise Time：50ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：30 ns
- Continuous Drain Current (ID)：11.5A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain-source On Resistance-Max：0.65Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：46A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：456 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 150
- 1+： $2.58870
- 10+： $2.44217
- 100+： $2.30393
- 500+： $2.17352
- 1000+： $2.05049
小計金額 $2.58870
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