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FDP3672
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V
Date Sheet
在庫數 58000
- 1+： $2.17619
- 10+： $2.05301
- 100+： $1.93680
- 500+： $1.82717
- 1000+： $1.72375
小計金額 $2.17619
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：9 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5.9A Ta 41A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：135W Tc
- Turn Off Delay Time：24 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：PowerTrench®
- Published：2003
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：33MOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：105V
- Current Rating：41A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：135W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：12 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：33m Ω @ 41A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1670pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：37nC @ 10V
- Rise Time：48ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：27 ns
- Continuous Drain Current (ID)：41A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：5.9A
- Drain to Source Breakdown Voltage：105V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：48 mJ
- Height：9.4mm
- Length：10.67mm
- Width：4.83mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 58000
- 1+： $2.17619
- 10+： $2.05301
- 100+： $1.93680
- 500+： $1.82717
- 1000+： $1.72375
小計金額 $2.17619
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