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画像はあくまで参考です。
STP6NK90ZFP
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220FP
Date Sheet
在庫數 46
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5.8A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：30W Tc
- Turn Off Delay Time：20 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.5V @ 100μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMESH™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Additional Feature：AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
- Base Part Number：STP6N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：30W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：17 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：2 Ω @ 2.9A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1350pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：60.5nC @ 10V
- Rise Time：45ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：20 ns
- Continuous Drain Current (ID)：5.8A
- Threshold Voltage：3.75V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain-source On Resistance-Max：2Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：900V
- Height：9.3mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
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