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STP9NK65ZFP
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 650V 6.4A TO-220FP
Date Sheet
在庫數 28478
- 1+： $1.95852
- 10+： $1.84766
- 100+： $1.74308
- 500+： $1.64441
- 1000+： $1.55133
小計金額 $1.95852
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.4A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：30W Tc
- Turn Off Delay Time：45 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.5V @ 100μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMESH™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Base Part Number：STP9N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：30W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：20 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.2 Ω @ 3.2A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1145pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：41nC @ 10V
- Rise Time：12ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：15 ns
- Continuous Drain Current (ID)：6.4A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：25.6A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：200 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 28478
- 1+： $1.95852
- 10+： $1.84766
- 100+： $1.74308
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