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画像はあくまで参考です。
FDPF12N60NZ
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
Date Sheet
在庫數 29000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：7 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Weight：2.27g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：12A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：39W Tc
- Turn Off Delay Time：170 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：UniFET-II™
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：39W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：25 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：650m Ω @ 6A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1676pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：34nC @ 10V
- Rise Time：110ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：130 ns
- Continuous Drain Current (ID)：12A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain-source On Resistance-Max：0.65Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：48A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：565 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 29000
小計金額 $0.00000
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