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画像はあくまで参考です。
FQA28N15
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-3P-3, SC-65-3
- Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3 Tab) TO-3P Tube
Date Sheet
在庫數 13602
- 1+： $6.65244
- 10+： $6.27589
- 100+： $5.92065
- 500+： $5.58552
- 1000+： $5.26936
小計金額 $6.65244
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-3P-3, SC-65-3
- Number of Pins：3
- Weight：6.401g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：33A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：227W Tc
- Turn Off Delay Time：100 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：90MOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Additional Feature：FAST SWITCHING
- Voltage - Rated DC：150V
- Current Rating：33A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：227W
- Turn On Delay Time：17 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：90m Ω @ 16.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1600pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：52nC @ 10V
- Rise Time：180ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：115 ns
- Continuous Drain Current (ID)：33A
- Threshold Voltage：4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：150V
- Height：20.1mm
- Length：15.8mm
- Width：5mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 13602
- 1+： $6.65244
- 10+： $6.27589
- 100+： $5.92065
- 500+： $5.58552
- 1000+： $5.26936
小計金額 $6.65244
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