日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
FDT86256
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-261-4, TO-261AA
- MOSFET N-CH 150V 1.2A SOT-223-4
Date Sheet
在庫數 88168
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-261-4, TO-261AA
- Weight：188mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.3W Ta 10W Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.2A Ta 3A Tc
- Turn Off Delay Time：4.8 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Series：PowerTrench®
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Published：2011
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- JESD-30 Code：R-PDSO-G4
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.3W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：2.7 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：845m Ω @ 1.2A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：73pF @ 75V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：2nC @ 10V
- Rise Time：1.7ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：2.6 ns
- Continuous Drain Current (ID)：1.2A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：3A
- Drain-source On Resistance-Max：0.845Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：150V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：2A
- Height：1.7mm
- Length：6.7mm
- Width：3.7mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 88168
小計金額 $0.00000
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
