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FDD6635
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 35V 15A DPAK
Date Sheet
在庫數 100000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：10 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Weight：260.37mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：15A Ta 59A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.8W Ta 55W Tc
- Turn Off Delay Time：28 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Published：2007
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Additional Feature：FAST SWITCHING
- Terminal Form：GULL WING
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：55W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：11 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：10m Ω @ 15A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1400pF @ 20V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：36nC @ 10V
- Rise Time：6ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：14 ns
- Continuous Drain Current (ID)：59A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：35V
- Height：2.39mm
- Length：6.73mm
- Width：6.22mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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