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IRF634B-FP001
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220
Date Sheet
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仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：8.1A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：74W Tc
- Turn Off Delay Time：100 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 weeks ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：74W
- Turn On Delay Time：15 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：450m Ω @ 4.05A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1000pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：38nC @ 10V
- Rise Time：75ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：65 ns
- Continuous Drain Current (ID)：8.1A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：250V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：32.4A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：200 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
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