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FQI5N60CTU
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
Date Sheet
在庫數 146
- 1+： $1.14870
- 10+： $1.08368
- 100+： $1.02234
- 500+： $0.96447
- 1000+： $0.90988
小計金額 $1.14870
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- Weight：2.084g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.13W Ta 100W Tc
- Turn Off Delay Time：38 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Additional Feature：FAST SWITCHING
- Voltage - Rated DC：600V
- Current Rating：5A
- JESD-30 Code：R-PSIP-T3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：3.13W
- Turn On Delay Time：10 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：2.5 Ω @ 2.25A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：670pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：19nC @ 10V
- Rise Time：42ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：46 ns
- Continuous Drain Current (ID)：4.5A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 146
- 1+： $1.14870
- 10+： $1.08368
- 100+： $1.02234
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