日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
STD30N6LF6AG
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 60V 24A
Date Sheet
在庫數 40
- 1+： $1.09050
- 10+： $1.02877
- 100+： $0.97054
- 500+： $0.91560
- 1000+： $0.86377
小計金額 $1.09050
仕様 よくある質問
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Mounting Type：Surface Mount
- Mount：Surface Mount
- Transistor Element Material：SILICON
- Power Dissipation (Max)：40W Tc
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：24A Tc
- Series：Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STD30N
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：25m Ω @ 12A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1320pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：26nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：60V
- Vgs (Max)：±20V
- Continuous Drain Current (ID)：24A
- Drain-source On Resistance-Max：0.03Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：96A
- DS Breakdown Voltage-Min：60V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：130 mJ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 40
- 1+： $1.09050
- 10+： $1.02877
- 100+： $0.97054
- 500+： $0.91560
- 1000+： $0.86377
小計金額 $1.09050
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
