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STD4N52K3
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
Date Sheet
在庫數 148
- 1+： $1.79366
- 10+： $1.69213
- 100+： $1.59635
- 500+： $1.50599
- 1000+： $1.42075
小計金額 $1.79366
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Mount：Surface Mount, Through Hole
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：8
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：45W Tc
- Turn Off Delay Time：21 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Series：SuperMESH3™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Discontinued
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：2.6Ohm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Additional Feature：ULTRA-LOW RESISTANCE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Base Part Number：STD4N
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSIP-T3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：70W
- Turn On Delay Time：8 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：2.6 Ω @ 1.25A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4.5V @ 50μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：334pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：2nC @ 10V
- Rise Time：7ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：14 ns
- Continuous Drain Current (ID)：2.5A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：525V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 148
- 1+： $1.79366
- 10+： $1.69213
- 100+： $1.59635
- 500+： $1.50599
- 1000+： $1.42075
小計金額 $1.79366
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