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画像はあくまで参考です。
FQU1N80TU
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
Date Sheet
在庫數 26
- 1+： $1.10171
- 10+： $1.03935
- 100+： $0.98052
- 500+： $0.92502
- 1000+： $0.87266
小計金額 $1.10171
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Package / Case：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Number of Pins：3
- Weight：343.08mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1A Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Turn Off Delay Time：15 ns
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta 45W Tc
- Number of Elements：1
- Published：2014
- Series：QFET®
- Packaging：Tube
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：800V
- Current Rating：1A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.5W
- Turn On Delay Time：10 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：20 Ω @ 500mA, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：195pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：7.2nC @ 10V
- Rise Time：25ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：25 ns
- Continuous Drain Current (ID)：1A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：1A
- Drain to Source Breakdown Voltage：800V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：4A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：90 mJ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- Lead Free：Lead Free
在庫數 26
- 1+： $1.10171
- 10+： $1.03935
- 100+： $0.98052
- 500+： $0.92502
- 1000+： $0.87266
小計金額 $1.10171
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