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STK800
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- PolarPak®
- MOSFET, N CH, 30V, 20A, POLARPAK
Date Sheet
在庫數 263
- 1+： $1.12831
- 10+： $1.06445
- 100+： $1.00420
- 500+： $0.94735
- 1000+： $0.89373
小計金額 $1.12831
仕様 よくある質問
- Package / Case：PolarPak®
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Number of Pins：10
- Transistor Element Material：SILICON
- Power Dissipation (Max)：5.2W Tc
- Turn Off Delay Time：45 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：2.5V @ 250μA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：20A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：STripFET™
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- Termination：SMD/SMT
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：7.8mOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Voltage - Rated DC：30V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：NO LEAD
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：20A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：STK8
- JESD-30 Code：R-XDSO-N4
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：5.2W
- Case Connection：SOURCE
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：7.8m Ω @ 10A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1380pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：13.4nC @ 4.5V
- Rise Time：50ns
- Vgs (Max)：±16V
- Fall Time (Typ)：15 ns
- Continuous Drain Current (ID)：20A
- Threshold Voltage：2.5V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：16V
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：80A
- Dual Supply Voltage：30V
- Nominal Vgs：2.5 V
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 263
- 1+： $1.12831
- 10+： $1.06445
- 100+： $1.00420
- 500+： $0.94735
- 1000+： $0.89373
小計金額 $1.12831
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