日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
FQI8N60CTU
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
Date Sheet
在庫數 6985
- 1+： $0.78329
- 10+： $0.73895
- 100+： $0.69713
- 500+： $0.65767
- 1000+： $0.62044
小計金額 $0.78329
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Package / Case：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Weight：2.084g
- Transistor Element Material：SILICON
- Power Dissipation (Max)：3.13W Ta 147W Tc
- Turn Off Delay Time：81 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7.5A Tc
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- Published：2013
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：600V
- Current Rating：8A
- JESD-30 Code：R-PSIP-T3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：3.13W
- Turn On Delay Time：16.5 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.2 Ω @ 3.75A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1255pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：36nC @ 10V
- Rise Time：60.5ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：64.5 ns
- Continuous Drain Current (ID)：7.5A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：30A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：230 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 6985
- 1+： $0.78329
- 10+： $0.73895
- 100+： $0.69713
- 500+： $0.65767
- 1000+： $0.62044
小計金額 $0.78329
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
