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画像はあくまで参考です。
FQPF2N60
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 600V 1.6A TO-220F
Date Sheet
在庫數 647
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Transistor Element Material：SILICON
- Power Dissipation (Max)：28W Tc
- Turn Off Delay Time：20 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.6A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- Published：2000
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- HTS Code：8541.29.00.95
- Voltage - Rated DC：600V
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Current Rating：1.6A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：28W
- Case Connection：ISOLATED
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：4.7 Ω @ 800mA, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：350pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：11nC @ 10V
- Rise Time：25ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：25 ns
- Continuous Drain Current (ID)：1.6A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：2A
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：8A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：120 mJ
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
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