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画像はあくまで参考です。
FQPF1N60
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 600V 0.9A TO-220F
Date Sheet
在庫數 0
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仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Power Dissipation (Max)：21W Tc
- Turn Off Delay Time：7 ns
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：900mA Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- Published：2008
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Voltage - Rated DC：600V
- Current Rating：1.2A
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：21W
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：11.5 Ω @ 450mA, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：150pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：6nC @ 10V
- Rise Time：25ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：25 ns
- Continuous Drain Current (ID)：900mA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
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