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画像はあくまで参考です。
FDD6780A
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 25V 16.4A DPAK
Date Sheet
在庫數 100650
- 1+： $0.76973
- 10+： $0.72616
- 100+： $0.68506
- 500+： $0.64628
- 1000+： $0.60970
小計金額 $0.76973
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：16.4A Ta 30A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.7W Ta 32.6W Tc
- Turn Off Delay Time：16 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：8.6MOhm
- Terminal Form：GULL WING
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：3.7W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：7 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：8.6m Ω @ 16.4A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1235pF @ 13V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：24nC @ 10V
- Rise Time：3ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：3 ns
- Continuous Drain Current (ID)：16.4A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：48A
- Drain to Source Breakdown Voltage：25V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：24 mJ
- Height：2.39mm
- Length：6.73mm
- Width：6.22mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
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