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画像はあくまで参考です。
NDF06N62ZG
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET Single N-Ch 620V 3.8A
Date Sheet
在庫數 47
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：31W Tc
- Turn Off Delay Time：32 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.5V @ 100μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2010
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：1.2Ohm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：31W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：13 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.2 Ω @ 3A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：923pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：32nC @ 10V
- Rise Time：19ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：28 ns
- Continuous Drain Current (ID)：6A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：6A
- Drain to Source Breakdown Voltage：620V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：20A
- Height：16.12mm
- Length：10.63mm
- Width：4.9mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 47
小計金額 $0.00000
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