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画像はあくまで参考です。
FDME430NT
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ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 6-PowerUFDFN
- MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
Date Sheet
在庫數 33954
- 1+： $0.30250
- 10+： $0.28538
- 100+： $0.26923
- 500+： $0.25399
- 1000+： $0.23961
小計金額 $0.30250
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：6-PowerUFDFN
- Number of Pins：6
- Weight：30mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.1W Ta
- Turn Off Delay Time：19 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1.5V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- JESD-609 Code：e4
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- HTS Code：8541.29.00.95
- Terminal Position：DUAL
- JESD-30 Code：S-PDSO-N3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.1W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：7 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：40m Ω @ 6A, 4.5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：760pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：9nC @ 4.5V
- Rise Time：3ns
- Vgs (Max)：±12V
- Fall Time (Typ)：3.3 ns
- Continuous Drain Current (ID)：6A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：12V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：6A
- Drain-source On Resistance-Max：0.04Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Feedback Cap-Max (Crss)：75 pF
- Height：500μm
- Length：1.6mm
- Width：1.6mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
在庫數 33954
- 1+： $0.30250
- 10+： $0.28538
- 100+： $0.26923
- 500+： $0.25399
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