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画像はあくまで参考です。
FDD4685-F085
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET P-CH 40V 32A DPAK
Date Sheet
在庫數 13
- 1+： $1.46940
- 10+： $1.38623
- 100+： $1.30776
- 500+： $1.23374
- 1000+： $1.16390
小計金額 $1.46940
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Weight：260.37mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：8.4A Ta 32A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：83W Tc
- Turn Off Delay Time：34 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- Additional Feature：ULTRA-LOW RESISTANCE
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：FDD4685
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：69W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：8 ns
- FET Type：P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：27m Ω @ 8.4A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2380pF @ 20V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：27nC @ 5V
- Rise Time：15ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：40V
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：14 ns
- Continuous Drain Current (ID)：32A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：40A
- Drain-source On Resistance-Max：0.027Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：-40V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 13
- 1+： $1.46940
- 10+： $1.38623
- 100+： $1.30776
- 500+： $1.23374
- 1000+： $1.16390
小計金額 $1.46940
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