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EPC2016
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EPC
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Die
- TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
Date Sheet
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仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：Die
- Supplier Device Package：Die
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：2.5V @ 3mA
- Operating Temperature：-40°C~125°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：eGaN®
- Published：2012
- Part Status：Discontinued
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Max Operating Temperature：125°C
- Min Operating Temperature：-40°C
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：16mOhm @ 11A, 5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：520pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：5.2nC @ 5V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：100V
- Vgs (Max)：+6V, -5V
- Continuous Drain Current (ID)：11A
- Input Capacitance：520pF
- Rds On Max：16 mΩ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
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