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画像はあくまで参考です。
FDA18N50
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-3P-3, SC-65-3
- MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P
Date Sheet
在庫數 2500
- 1+： $2.99932
- 10+： $2.82955
- 100+： $2.66939
- 500+： $2.51829
- 1000+： $2.37574
小計金額 $2.99932
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：7 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-3P-3, SC-65-3
- Number of Pins：3
- Weight：6.401g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：19A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：239W Tc
- Turn Off Delay Time：95 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：UniFET™
- Published：2014
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：265MOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Additional Feature：FAST SWITCHING
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：239W
- Turn On Delay Time：55 ns
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：265m Ω @ 9.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2860pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：60nC @ 10V
- Rise Time：165ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：90 ns
- Continuous Drain Current (ID)：19A
- Threshold Voltage：5V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：76A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：945 mJ
- Height：18.9mm
- Length：15.8mm
- Width：5mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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