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STW15N80K5
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
Date Sheet
在庫數 30
- 1+： $4.50970
- 10+： $4.25444
- 100+： $4.01362
- 500+： $3.78643
- 1000+： $3.57211
小計金額 $4.50970
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：17 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：14A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：190W Tc
- Turn Off Delay Time：44 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 100μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMESH5™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Base Part Number：STW15N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：190W
- Turn On Delay Time：19 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：375m Ω @ 7A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1100pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：32nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：800V
- Vgs (Max)：±30V
- Continuous Drain Current (ID)：14A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：56A
- DS Breakdown Voltage-Min：800V
- Height：20.15mm
- Length：15.75mm
- Width：5.15mm
- REACH SVHC：not_compliant
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 30
- 1+： $4.50970
- 10+： $4.25444
- 100+： $4.01362
- 500+： $3.78643
- 1000+： $3.57211
小計金額 $4.50970
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