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画像はあくまで参考です。
STW18NM80
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
Date Sheet
在庫數 3
- 1+： $6.36660
- 10+： $6.00623
- 100+： $5.66625
- 500+： $5.34552
- 1000+： $5.04294
小計金額 $6.36660
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：17A Tc
- Power Dissipation (Max)：190W Tc
- Turn Off Delay Time：96 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Base Part Number：STW18N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：190W
- Turn On Delay Time：18 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：295m Ω @ 8.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2070pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：70nC @ 10V
- Rise Time：28ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：50 ns
- Continuous Drain Current (ID)：17A
- Threshold Voltage：4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain-source On Resistance-Max：0.295Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：800V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：68A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：600 mJ
- Height：20.15mm
- Length：15.75mm
- Width：5.15mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 3
- 1+： $6.36660
- 10+： $6.00623
- 100+： $5.66625
- 500+： $5.34552
- 1000+： $5.04294
小計金額 $6.36660
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