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画像はあくまで参考です。
STP6N62K3
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 620V 5.5A TO-220
Date Sheet
在庫數 459
- 1+： $2.33980
- 10+： $2.20736
- 100+： $2.08242
- 500+： $1.96454
- 1000+： $1.85334
小計金額 $2.33980
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：90W Tc
- Turn Off Delay Time：49 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.5V @ 50μA
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMESH3™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：1.2Ohm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Additional Feature：ULTRA LOW-ON RESISTANCE
- Base Part Number：STP6N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：90W
- Turn On Delay Time：22 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.2 Ω @ 2.8A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：875pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：34nC @ 10V
- Rise Time：12.5ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：19 ns
- Continuous Drain Current (ID)：5.5A
- Threshold Voltage：3.75V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：620V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：22A
- Height：15.75mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 459
- 1+： $2.33980
- 10+： $2.20736
- 100+： $2.08242
- 500+： $1.96454
- 1000+： $1.85334
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