日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
STW30NM50N
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- MOSFET N-Ch 500 Volt 27 Amp Power MDmesh
Date Sheet
在庫數 180
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：27A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：190W Tc
- Turn Off Delay Time：115 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：115mOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STW30N
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：190W
- Case Connection：ISOLATED
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：115m Ω @ 13.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2740pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：94nC @ 10V
- Rise Time：20ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：60 ns
- Continuous Drain Current (ID)：13.5A
- Threshold Voltage：3V
- JEDEC-95 Code：TO-247AC
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：27A
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：108A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：900 mJ
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 180
小計金額 $0.00000
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
